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- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RTU40HF120FA1Leistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
40 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
Merkmale:
-1200V40A,VCE(sat)(typ.)=3.0V
-Ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit
-Hervorragende Kurzschlussrobustheit
-34mm Halbbrückenmodul
Allgemeine Anwendungen:
Die IGBTs von Rongtech bieten ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten für Anwendungen wie Schweißen, induktive Erwärmung, USV und andere Hochfrequenzanwendungen
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Kataloge
RTU40HF120FA1
7 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.