- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RTK200HF120B
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Strom
200 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
Merkmale:
-1200V200A,VCE(sat)(typ.)=2.1V
-Geringere Verluste und höhere Energiekosten
-Hervorragende Kurzschlussrobustheit
-62mm Halbbrückenmodul
Allgemeine Anwendungen:
Die IGBTs von Rongtech bieten geringere Verluste und höhere Energie für Anwendungen wie Motorantrieb. Umrichter und andere Soft-Switch-Anwendungen.
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Kataloge
RTK200HF120B
7 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.