- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistor RGW40N120F1ALeistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
40 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
FEATURES
-Hohe Durchbruchspannung bis 1200V für verbesserte Zuverlässigkeit
Graben-Stopp-Technologie Angebot :
>Hochgeschwindigkeitsschaltung
>Hohe Robustheit, temperaturstabil
>LOW VcEsat
>Einfache Parallelschaltfähigkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in der
VcEsat
- Verbesserte Lawinenfähigkeit
ANWENDUNG
-Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
-Solarwechselrichter
-Schweißen
PFC-Anwendungen
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VIDEO
Kataloge
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.