- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistor RGW25N135F1ALeistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
25 A
- Spannung
1.350 V
Beschreibung
Rongtech Field Stop Trench IGBTs bieten niedrige Schaltverluste, hohe Energieeffizienz und hohe Avalanche-Robustheit für sanft schaltende Anwendungen wie induktive Erwärmung, Mikrowellenherde, etc.
MERKMALE
-Hohe Durchbruchspannung bis 1350V für verbesserte Zuverlässigkeit
-Trench-Stop-Technologie bietet :
>Hohe Schaltgeschwindigkeit
>Hohe Robustheit, temperaturstabil
>Niedrige VcEsat
>Einfache Parallelschaltbarkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in
VcEsat
-Weiche Stromabschaltwellenformen
verbesserte Avalanche-Fähigkeit
VCE:1350A
IC:25A
VCE(SAT) IC=25A: 2.0V
Anwendung:
* Induktives Kochen
* Inverterisierte Mikrowellenherde
* Resonanzwandler
* Sanft schaltende Anwendungen
* Sanft schaltende Anwendungen
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Kataloge
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.