- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RTS40FB120T5HBLeistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
40 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
-Kurzschluss Nennwert>10jjs
-Niedrige Sättigungsspannung: Vce (sat) = 2,15V @ lc = 40A, Tc=25'C
-Geringe Schaltverluste
-100 % RBSOA getestet (2*lc>)
-Geringe Streuinduktivität
Bleifrei, konform mit den RoHS-Anforderungen
Anwendungen:
-Industrielle Wechselrichter
Servo-Anwendungen
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Kataloge
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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