- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- IGBT-Transistor
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul RT25PI120B9HLeistung
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Eigenschaften
- Typ
- IGBT
- Technologie
- Leistung
- Strom
10 A, 25 A
- Spannung
1.200 V
Beschreibung
Merkmale
Graben + Filed Stop IGBT-Technologie
-10ps Kurzschlussfestigkeit
-Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten
-Fall mit niedriger Induktivität
-Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD
Isolierte Kupfergrundplatte in DBC-Technologie
Typische Anwendungen
-Umrichter für Motorantrieb
-Klimaanlage
-Unterbrechungsfreie Stromversorgung
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Kataloge
RT25PI120B9H PIM module
11 Seiten
"RT25PI120B9H" IGBT Module
13 Seiten
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.