MOSFET-Transistormodul HP8ME5
Schaltoberflächenmontiert

MOSFET-Transistormodul - HP8ME5  - ROHM Semiconductor - Schalt / oberflächenmontiert
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Schalt
Weitere Eigenschaften
oberflächenmontiert
Strom

8,5 A

Spannung

100 V

Beschreibung

Der HP8ME5 ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. EIGENSCHAFTEN: ♦Niedriger Einschaltwiderstand ♦Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8) ♦Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform ♦Halogenfrei

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.