MOSFET-Transistormodul R6004KNJ
SchaltLeistung

MOSFET-Transistormodul - R6004KNJ - ROHM Semiconductor - Schalt / Leistung
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Schalt, Leistung
Strom

4 A

Spannung

600 V

Beschreibung

R6004KNJ hat einen niedrigen Einschaltwiderstand und MOSFET mit hoher Umschaltgeschwindigkeit und Leistung.

Kataloge

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.