MOSFET-Transistor SCT2H12NZ
LeistungSchaltSilizium

MOSFET-Transistor - SCT2H12NZ - ROHM Semiconductor - Leistung / Schalt / Silizium
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung, Schalt
Weitere Eigenschaften
Silizium
Strom

3,7 A

Spannung

1.700 V

Beschreibung

N-Kanal-Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungs-MOSFET Von ROHM empfohlene Produkte SCT2H12NZ (SiC-MOSFET) und BD7682FJ-LB (AC/DC-Wandler-IC) Evaluationsplatine
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.