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MOSFET-Transistormodul SCT2H12NYSchaltLeistungSilizium
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Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Schalt, Leistung
- Weitere Eigenschaften
- Silizium
- Strom
4 A
- Spannung
1.700 V
Beschreibung
Dies ist ein planarer SiC (Siliziumkarbid)-MOSFET. Zu den Eigenschaften gehören die hohe Spannungsfestigkeit, der geringe ON-Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Kataloge
Industrial Motor Solutions
40 Seiten
Short Form Catalog
308 Seiten
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SiC-Leistungshalbleiter
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.