- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- MOSFET-Transistor
- ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul R6511ENJSchaltLeistunggeräuscharm
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Schalt, Leistung
- Weitere Eigenschaften
- geräuscharm
- Strom
11 A
- Spannung
650 V
Beschreibung
Der R6511ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
Kataloge
Verwandte Suchbegriffe
- Einpoliger Umschalter
- Technologie-Schalter
- Diode
- Transistormodul
- Leiterplatten-Widerstand
- Leistungswiderstand
- Diode für Oberflächenmontage
- Schalt-Transistormodul
- Diode / hohe Schaltgeschwindigkeit
- Feldeffekttransistor
- MOSFET-Transistormodul
- Bipolarer Transistor
- Dünnschichtwiderstand
- Dickschichtwiderstand
- Diodenmodul
- Hochleistungswiderstand
- Gleichrichterdiodenmodul
- IGBT-Transistormodul
- Automobilschalter
- SMD-Diodenmodul
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.