- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- MOSFET-Transistor
- ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul R8008ANJFRGSchaltLeistung
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Schalt, Leistung
- Strom
8 A
- Spannung
800 V
Beschreibung
Der R8008ANJ FRG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist. Es handelt sich um ein sehr zuverlässiges Produkt für die Automobilindustrie.
Kataloge
Verwandte Suchbegriffe
- Einpoliger Umschalter
- Technologie-Schalter
- Diode
- Transistormodul
- Leiterplatten-Widerstand
- Leistungswiderstand
- Diode für Oberflächenmontage
- Schalt-Transistormodul
- Diode / hohe Schaltgeschwindigkeit
- Feldeffekttransistor
- MOSFET-Transistormodul
- Bipolarer Transistor
- Dünnschichtwiderstand
- Wandler IC / Leistung
- Dickschichtwiderstand
- Diodenmodul
- Isolierter Wandler IC
- Hochleistungswiderstand
- Schneller Wandler IC
- Gleichrichterdiodenmodul
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.