MOSFET-Transistormodul RS1E321GN
SchaltLeistung

MOSFET-Transistormodul - RS1E321GN - ROHM Semiconductor - Schalt / Leistung
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Schalt, Leistung
Strom

80 A

Spannung

30 V

Beschreibung

Der RS1E321GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungs-Gehäuse für Schaltanwendungen.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.