- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- MOSFET-Transistor
- ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul RS1P600BHLeistungSchaltoberflächenmontiert
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Leistung, Schalt
- Weitere Eigenschaften
- oberflächenmontiert
- Strom
60 A
- Spannung
100 V
Beschreibung
Der RS1P600BH ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlassiwderstand für Primär-Seiten-Schalter, Motor-Treiber und DC/DC-Wandler.
Kataloge
Verwandte Suchbegriffe
- Einpoliger Umschalter
- Technologie-Schalter
- Diode
- Transistormodul
- Leiterplatten-Widerstand
- Leistungswiderstand
- Diode für Oberflächenmontage
- Schalt-Transistormodul
- Diode / hohe Schaltgeschwindigkeit
- Feldeffekttransistor
- MOSFET-Transistormodul
- Bipolarer Transistor
- Dünnschichtwiderstand
- Wandler IC / Leistung
- Dickschichtwiderstand
- Diodenmodul
- Isolierter Wandler IC
- Hochleistungswiderstand
- Schneller Wandler IC
- Gleichrichterdiodenmodul
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.