MOSFET-Transistor SCT4013DR

LeistungSchaltSilizium

Der SCT4013DR ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum geringen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen Durchlasswiderstand erreicht, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen. Es ist ein 4-Pin-Gehäusetyp mit einem Driver-Source-Anschluss, der die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung maximieren kann, die ein Merkmal von SiC-MOSFETs ist. Vorteile von ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation Diese Serie hat einen um 40 % geringeren Durchlasswiderstand und einen um 50 % geringeren Schaltverlust im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Design der Anwendung.