MOSFET-Transistor SCT4013DR
LeistungSchaltSilizium

MOSFET-Transistor - SCT4013DR - ROHM Semiconductor - Leistung / Schalt / Silizium
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung, Schalt
Weitere Eigenschaften
Silizium
Strom

105 A

Spannung

750 V

Beschreibung

Der SCT4013DR ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum geringen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen Durchlasswiderstand erreicht, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen. Es ist ein 4-Pin-Gehäusetyp mit einem Driver-Source-Anschluss, der die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung maximieren kann, die ein Merkmal von SiC-MOSFETs ist. Vorteile von ROHMs SiC-MOSFET der 4. Generation Diese Serie hat einen um 40 % geringeren Durchlasswiderstand und einen um 50 % geringeren Schaltverlust im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Design der Anwendung.

Kataloge

* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.