MOSFET-Transistormodul RS6G120BG
LeistungSchalt

MOSFET-Transistormodul
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung, Schalt
Strom

210 A

Spannung

40 V

Beschreibung

Der RS6G120BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungs-Gehäuse für Schaltanwendungen.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.