AEC-Q101-qualifiziertes Produkt für die Automobilindustrie. Der SCT4045DRHR ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Zu seinen Merkmalen gehören eine hohe Spannungsfestigkeit, ein niedriger Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit.
Vorteile des SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign