MOSFET-Transistor SCT4018KE
SchaltSilizium

MOSFET-Transistor - SCT4018KE - ROHM Semiconductor - Schalt / Silizium
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Schalt
Weitere Eigenschaften
Silizium
Strom

81 A

Spannung

1.200 V

Beschreibung

SCT4018KE ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum niedrigen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen On-Widerstand erreicht, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen. Vorteile von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.