- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- MOSFET-Transistor
- ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistor SCT4013DESchalt
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Schalt
- Strom
105 A
- Spannung
750 V
Beschreibung
SCT4013DE ist ein SiC-MOSFET, der zur Miniaturisierung und zum niedrigen Stromverbrauch von Anwendungen beiträgt. Es handelt sich um ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenweit führenden niedrigen Durchlasswiderstand ohne Einbußen bei der Kurzschlussfestigkeit erreicht.
Vorteile von ROHMs SiC-MOSFETs der 4. Generation
Diese Serie weist im Vergleich zu herkömmlichen Produkten einen um etwa 40 % geringeren Einschaltwiderstand und einen um etwa 50 % geringeren Schaltverlust auf. Die 15V-Gate-Source-Spannung erleichtert das Anwendungsdesign.
Kataloge
Power Device Catalog
36 Seiten
Power Solutions Catalog
9 Seiten
Weitere Produkte von ROHM Semiconductor
SiC-Leistungshalbleiter
Verwandte Suchbegriffe
- Einpoliger Umschalter
- Technologie-Schalter
- Diode
- Transistormodul
- Leiterplatten-Widerstand
- Leistungswiderstand
- Diode für Oberflächenmontage
- Schalt-Transistormodul
- Diode / hohe Schaltgeschwindigkeit
- Feldeffekttransistor
- MOSFET-Transistormodul
- Bipolarer Transistor
- Dünnschichtwiderstand
- Wandler IC / Leistung
- Dickschichtwiderstand
- Diodenmodul
- Isolierter Wandler IC
- Hochleistungswiderstand
- Schneller Wandler IC
- Gleichrichterdiodenmodul
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.