Fotodioden Array / Chip PA1001
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Eigenschaften
- Merkmal
- Chip
Beschreibung
Der Photosensor besteht aus sechs in Planartechnik hergestellen Halbleiter-Photodioden. Die Photodioden werden mit einer antireflexiven Silikon-Nitrid Schicht überzogen, Sie sind auf die Platine gebondet und mit durchsichtigem Epoxyd-Klebstoff geschützt. Die Sensoranordnung kann im photovoltaischen oder photoleitenden Modus verwendet werden.
Merkmale
Hohe Empfindlichkeit
Niedrige Kapazität
Geeignet für Pick and Place-Bestückung (SMT; Surface Mount Technology)
Hohe Zuverlässigkeit
Wellenlängenspitze bei 830 nm
Kataloge
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