Fotodioden Array / Chip PA1001
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Eigenschaften
- Merkmal
- Chip
Beschreibung
Der Photosensor besteht aus sechs in Planartechnik hergestellen Halbleiter-Photodioden. Die Photodioden werden mit einer antireflexiven Silikon-Nitrid Schicht überzogen, Sie sind auf die Platine gebondet und mit durchsichtigem Epoxyd-Klebstoff geschützt. Die Sensoranordnung kann im photovoltaischen oder photoleitenden Modus verwendet werden.
Merkmale
Hohe Empfindlichkeit
Niedrige Kapazität
Geeignet für Pick and Place-Bestückung (SMT; Surface Mount Technology)
Hohe Zuverlässigkeit
Wellenlängenspitze bei 830 nm
Kataloge
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.