Der Photosensor besteht aus sechs in Planartechnik hergestellen Halbleiter-Photodioden. Die Photodioden werden mit einer antireflexiven Silikon-Nitrid Schicht überzogen, Sie sind auf die Platine gebondet und mit durchsichtigem Epoxyd-Klebstoff geschützt. Die Sensoranordnung kann im photovoltaischen oder photoleitenden Modus verwendet werden.
Merkmale
Mit vier verschiedenen Optionen erhältlich
Wellenlängenspitze bei 830 nm
Vorteile
Hohe Empfindlichkeit
Niedrige Kapazität
Geeignet für Pick and Place-Bestückung (SMT; Surface Mount Technology)
Hohe Zuverlässigkeit