Chemische Verarbeitungsanlage InEtchSide 4

Nassfür Solarzellen

Die automatische Verarbeitungsanlage RENA InEtchSide wurde für die einseitige Entfernung von Siliziumoxid-Schichten und dotiertem Glas (z. B. PSG oder BSG) entwickelt. Dies kann bei der Herstellung hocheffizienter Zellenkonzepte zum Einsatz kommen, u. a. bei der einseitige Oxid-Ätzung mittels Fluorwasserstoffsäure (HF). Die Anlage wurde auf Grundlage der RENA NIAK Inline-Plattform entwickelt. Funktionen und Vorteile Vollautomatische, nasschemische, einseitige Ätzung in einem Inline-Prozess auf 5 Spuren Einseitige Entfernung von Siliziumoxid (SiO2), dotiertem Glas (PSG/BSG) Einsatz von HF für die einseitige Verarbeitung (optional weitere Chemikalien, z. B. H2SO4 oder BHF) Integrierte Spülung und Trocknung von Wafern Durchsatz bis zu 5000 Wafern/Stunde kompatibel mit Wafer-Größe M0, M1, M2 und M4 Lange Lebensdauer des Bades dank Feed-and-Bleed-Funktion Akkurates Dosiersystem für eine konstante Zusammensetzung des Bades Verwendung eines Rollendesigns ohne O-Ring Branchenweit geringste Bruchraten Basiert auf der RENA NIAK Inline-Verarbeitungsplattform Hohe Verfügbarkeit Einfache Wartung Optionen MES-Schnittstelle (SECS/GEM) Medienschrank für Chemikalienversorgung Abpumpstation für die Entfernung der Chemikalien/des Abwassers Sensoren für die Prozesssteuerung (z. B. pH, Leitfähigkeit)