Die automatische Verarbeitungsanlage RENA InOxSide® 3 wurde als integrierte Lösung für die Kantenisolierung, Rückseitenpolitur und Entfernung von dotiertem Glas an Silizium-Solarzellen entwickelt. Dank eines Prozesses, der geringste Betriebskosten und die beste Leistung garantiert, bietet sich die InOxSide® Technologie als beste Wahl bei der Herstellung von Al-BSF, PERC und PERT Silizium-Solarzellen an. Die Anlage wurde auf Grundlage der RENA NIAK Inline-Plattform entwickelt.
Funktionen und Vorteile
Vollautomatische, nasschemische, einseitige Ätzung in einem Inline-Prozess auf 5/6 Spuren
Einseitige Emitter-Ätzung, Rückseitenpolitur und Entfernung von dotiertem Glas (PSG/BSG)
Verwendung von HF/HNO3/H2SO4 für die einseitige Ätzung, wodurch bestmögliche Betriebskosten (Cost of Ownership, CoO) erreicht werden
RENA-patentierte Technologie
Einstellbare Rückseiten-Ätzung 1 bis 5 µm, bis zu 6 µm mit der Option RENA PreCon)
Integrierte Spülung und Trocknung von Wafern
Durchsatz bis zu 6000 Wafern/Stunde
Kompatibel mit Wafer-Größe M0, M1, M2, M4, M6 und M12
Lange Lebensdauer des Bades dank Feed-and-Bleed-Funktion
Akkurates Dosiersystem für eine konstante Zusammensetzung des Bades
Verwendung eines Rollendesigns ohne O-Ring
Branchenweit geringste Bruchraten
Basiert auf der RENA NIAK Inline-Verarbeitungsplattform
Hohe Verfügbarkeit
Einfache Wartung