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Schneidemaschine für die Halbleiterindustrie GC-SEDW812ADiamantdrahtfür monokristallines Siliziumfür Wafer
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Eigenschaften
- Technologie
- Diamantdraht
- Bearbeitetes Material
- für monokristallines Silizium
- Bearbeitetes Produkt
- für Wafer
- Anwendung
- für die Halbleiterindustrie
- Rohrdurchmesser
201 mm
(8 in)- Schnittgeschwindigkeit
Min: 0 mm/min
(0 in/s)Max: 3 mm/min
(0,002 in/s)- Gesamtlänge
5.400 mm
(213 in)- Gesamtbreite
2.100 mm
(83 in)- Höhe
3.100 mm
(122 in)- Gewicht
14.000 kg
(30.864,72 lb)
Beschreibung
Es handelt sich um eine spezielle Bearbeitungsanlage, bei der der Diamantdraht zum Schneiden von monokristallinem Halbleitersilizium und zur Herstellung von Siliziumwafern verwendet wird; sie kann Siliziumstäbe mit einem Durchmesser von 6 und 8 Zoll bearbeiten; die maximale Bearbeitungslänge beträgt 450 mm (kristallographischer Orientierungswinkel ≤1°). Es zeichnet sich durch geringen Silizium-Materialverlust, gute Verarbeitungsqualität, hohe Schneideffizienz und gute Stabilität, etc. aus.
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.