Es handelt sich um eine spezielle Bearbeitungsanlage, bei der der Diamantdraht zum Schneiden von monokristallinem Halbleitersilizium und zur Herstellung von Siliziumwafern verwendet wird; sie kann Siliziumstäbe mit einem Durchmesser von 6 und 8 Zoll bearbeiten; die maximale Bearbeitungslänge beträgt 450 mm (kristallographischer Orientierungswinkel ≤1°). Es zeichnet sich durch geringen Silizium-Materialverlust, gute Verarbeitungsqualität, hohe Schneideffizienz und gute Stabilität, etc. aus.
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