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InGaAs-Fotodiode XSJ20R-453E-PF
Avalanche

InGaAs-Fotodiode - XSJ20R-453E-PF - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - Avalanche
InGaAs-Fotodiode - XSJ20R-453E-PF - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - Avalanche
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Eigenschaften

Merkmal
InGaAs, Avalanche

Beschreibung

1. Hochempfindlicher InGaAs/InP-Lawinenphotodetektor, 2. Hohe Empfindlichkeit für Einzelphotonen 3. Hohe Verstärkung und geringes Rauschen 4. Wellenlängenbereich von 950nm bis 1650nm, 5. 49/125/250um Single-Mode-Faser-Koaxialgehäuse. Anwendungen 1. Laser-Radar und Laser-Entfernungsmessung 2. Optische Kommunikation 3. Fluoreszenzmessung 4. Umweltanalyse 5. Ausrüstung in der Biomedizin

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.