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Fotodioden Array / PIN XSJ-10-D8A-80L-KB4-500
Chip

Fotodioden Array / PIN
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Eigenschaften

Merkmal
PIN, Chip

Beschreibung

4X200Gbps 500μm Die Pitch 1X4Array von unten beleuchteter PIN PD Chip Dieser 4X112GBaud Array 800Gbps Photodiodenchip ist ein von unten beleuchteter PIN-Photodiodenchip mit Mesa-Struktur und hoher Datenrate, bei dem eine Φ80μm Linse auf der Unterseite des Chips integriert ist. Seine Eigenschaften sind hoch, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, Anwendung 910nm bis 1650nm mit Single-Mode-Faser-Wellenlänge, mit Datenrate bis zu 200Gbps lange Wellenlänge optischen Empfänger. 1.Φ80pm Linse auf der Unterseite integriert. 2. Ground-Signal-Ground (GSG) Bondpad-Struktur, 4X112GBaud Array. 3. Niedriger Dunkelstrom, geringe Kapazität, hohe Verantwortung. 4. Datenrate: ≥ 112 GBaud/Kanal. 5. Würfelabstand: 500μm. 6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 7. 100%ige Prüfung und Inspektion. 8. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform. Anwendungen 1. optische 800G-Module 2. 1.6T Optische Module

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