- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- Fotodiodenchip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
PON-Chip XSJ-10-APD5-50P-XFotodioden
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Eigenschaften
- Merkmal
- Fotodioden, PON
Beschreibung
Dieser 10G-Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art P-Elektrode auf der Oberseite und N-Elektrode in der Unterseite Struktur, mit Top-beleuchteten aktiven Bereich Größe ist Φ50μm. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, niedrigen Temperaturkoeffizienten und ausgezeichnete Zuverlässigkeit aus, Anwendung in 10G SONET/SDH und 10G PON optischen Empfänger.
1. Φ50μm aktive Fläche.
2. Hohe Vervielfachung.
3. Niedriger Temperaturkoeffizient.
4. 100%ige Prüfung und Kontrolle.
5. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
6. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform.
Anwendungen
1. 10G SONET/SDH.
2. 10G PON.
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.