- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
PON-Chip XSJ-10-APD6-16X
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Eigenschaften
- Merkmal
- PON
Beschreibung
Dieser 25Gbps APD-Lichtdetektorchip ist eine GSG-Elektrodenstruktur, die ein Hochgeschwindigkeits-Avalanche-Lichtdetektorchip mit positivem Lichteintritt ist, und die Größe der lichtempfindlichen Zone beträgt Φ16μm. Die Hauptmerkmale des Produkts sind hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, niedriger Temperaturkoeffizient und hohe Zuverlässigkeit, hauptsächlich für 25G PON, 5G Wireless und 100GBASE-ER4.
1. Φ16μm aktive Fläche.
2. Hohe Multiplikation.
3. Niedrige Kapazität.
4. Niedriger Temperaturkoeffizient.
5. 100%ige Prüfung und Inspektion.
6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
7. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform.
Anwendungen
1. 25G PON.
2. 50G PON.
2. 100G ER4
3. 5G Drahtlos.
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