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Fotodioden Array / InGaAs XSJ-10-MA-100-KB8
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Fotodioden Array / InGaAs - XSJ-10-MA-100-KB8 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / Chip
Fotodioden Array / InGaAs - XSJ-10-MA-100-KB8 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / Chip
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Eigenschaften

Merkmal
PIN, InGaAs, Chip

Beschreibung

Dieser InGaAs/InP 1X8 Array-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit Anode und Kathode auf der Oberseite und einer Einfallsfläche auf der Rückseite. Die von unten beleuchtete aktive Fläche ist Φ100μm groß und hat eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 900nm bis 1650nm. Hauptsächlich Anwendung bei der Überwachung der optischen Leistung. 1. Von unten beleuchtet: @100um aktive Fläche. 2. 1X8 Array, Chipabstand: 300um. 3. Hohe Verantwortung. 4. Niedriger Dunkelstrom. 5. Anode und Kathode auf der Oberseite, eutektisches Löten. 6. -betriebsbereich 40°C bis 90°C. 7. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 8. 100%ige Prüfung und Inspektion. 9. Kundenspezifische Chipabmessungen sind verfügbar. 10. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform. Anwendungen 1. Überwachung der optischen Leistung.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.