Der XSJ-10-EMPD-120 ist ein seitlich beleuchteter InGaAs-InP-PIN-Überwachungs-Photodetektorchip mit einer planaren Struktur. Die Anode ist auf der Vorderseite und die Kathode ist auf der Rückseite, und der Chip Seite Erkennung Fenster ist 120umX60um, geeignet für Rechenzentren und Telekommunikation Rand emittierenden Lasern. Er hat eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 980nm bis 1620nm und ist für nicht luftdichte Verpackungen geeignet.
1. P-Bond-Pad oben, N-Bond-Pad unten
2. Detektierbarer Randbereich: 120μmX60μm.
3. Hohe Verantwortung und niedriger Dunkelstrom.
4. Unterstützt eutektische Lötprozesse.
5. 100%ige Prüfung und Inspektion.
6. Treffen Sie ein nicht-hermetisches Paket.
7. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
8. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform.
Anwendungen
1. Überwachung der Laserleistung der Rückseitenfacette.
2. Digitale optische FTTH-Kommunikation.
3. Optische Zusammenschaltung.
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