- Metrologie - Labor
- Optisches Element
- Fotodioden Array / Chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodioden Array / GaAs XXSJ-10-G6A-35H-K4PINChip
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Eigenschaften
- Merkmal
- PIN, GaAs, Chip
Beschreibung
Dieser 4X28Gbps NRZ/4X56Gbps PAM-4-Photodioden-Chip mit hoher Datenrate besteht aus einer GaAs-PIN-Struktur mit 1x4 Arrays und Top-Illuminierung. Merkmale sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität und niedriger Dunkelstrom, aktive Fläche Größe ist Φ35μm, Signal und beide Masse Bond Pads sind auf Chip-Oberseite für einfache Draht-Bond, Anwendung in 850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4 Kurzstrecken-Daten optische Kommunikation entworfen.
1. Φ35μm aktive Fläche.
2. Niedriger Dunkelstrom
3. Masse-Signal-Masse-Bondpad-Design.
4. Rasterweite: 250μm.
5. 100%ige Prüfung und Inspektion.
6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
7. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform.
Anwendungen
1. 200G SR4
2. Parallele faseroptische Multimode-Kommunikation
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.