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Fotodioden Array / InGaAs XSJ-10-D5-50H-K4
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Fotodioden Array / InGaAs - XSJ-10-D5-50H-K4 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / Chip
Fotodioden Array / InGaAs - XSJ-10-D5-50H-K4 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / Chip
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Eigenschaften

Merkmal
PIN, InGaAs, Chip

Beschreibung

Der 4X10Gbps-Hochgeschwindigkeits-Photodetektorchip ist eine InGaAs/I-InP-PIN-Struktur und ein von vorne beleuchteter Typ, der sich durch hohe Reaktionsfähigkeit, niedrige Kapazität und geringen Dunkelstrom auszeichnet. Die Größe des lichtempfindlichen Bereichs beträgt 50 um, und die P- und N-Pads sind an der Oberseite angebracht, um die Montage von Lötdrähten zu erleichtern. Hauptsächlich in Verbindung mit 4X10Gbps-Vierkanal-TIA wird er für optische 4X10G bps-Empfänger und -Datenkommunikation über große Entfernungen, hohe Geschwindigkeiten und Singlemode verwendet. 1. Φ50μm aktive Fläche. 2. Ground-Signal-Ground (GSG) Bondpad-Struktur, 4X10Gbps-Array. 3. Niedriger Dunkelstrom, geringe Kapazität, hohe Verantwortung. 4. Chipabstand: 250μm. 5. 100% Prüfung und Inspektion. 6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 7. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform. Anwendungen 1. 40Gbps QSFP+ LR4

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.