Fotodiodenchip XSJ-10-M-10000

InGaAsINP

Der von oben beleuchtete InGaAs-Monitor-PIN-Fotodioden-Chip, der eine planere Struktur mit Anode oben und Kathode hinten hat. Mit aktiver Fläche von Φ10000μm und hoher Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 900nm bis 1700nm.Angewandt auf die Überwachung der optischen Leistung von der Rückseite von verschiedenen LD und anderen Monitor ausgegeben. 1. Planare Struktur auf n+ InP-Substrat mit oberem Anodenkontakt. 2. Φ10000μm aktive Fläche. 3. Hohe Verantwortung. 4. Niedriger Dunkelstrom. 5. Niedrige Betriebsvorspannung. 6. -40℃ bis 85℃ Betriebsbereich. 7. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß 8. Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 9. 100%ige Prüfung und Inspektion. 10. Kundenspezifische Chip-Dimension ist verfügbar. Anwendungen 1. Überwachung der Laserleistung auf der Rückseite der Facette.