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Fotodiodenchip XSJ-10-APD4-55-TR1

Fotodiodenchip - XSJ-10-APD4-55-TR1 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Fotodiodenchip - XSJ-10-APD4-55-TR1 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
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Eigenschaften

Merkmal
Fotodioden

Beschreibung

Ein Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite und eine Kathode auf der Rückseite aus. Die Größe der von oben beleuchteten aktiven Fläche beträgt Φ55μm für eine einfache optische Montage; hohe Empfindlichkeit, hoher Multiplikationsfaktor und niedriger Dunkelstrom. Der hochleistungsfähige 2,5-Gbps-APD-Chip und die TIA-Kombination TO-CAN können die Empfindlichkeit des optischen Empfängers verbessern, Anwendungen, die die Datenübertragung für die heutige Fiber-to-the-Home (FTTH) ermöglichen. 1. Φ55μm aktive Fläche. 2. Anode auf der Oberseite und Kathode auf der Rückseite. 3. Niedriger Dunkelstrom. 4. Ausgezeichnete Empfindlichkeit und hohe Verstärkung. 5. Reflektivität<1,5% bei 1550nm±50nm, <6% über 1250nm~1700nm. 6. Datenrate bis zu 2,5Gbps. 7. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE erfüllt. 8. 100%ige Prüfung und Inspektion. 9. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform. Anwendungen 1. 2.5Gbps GPON/EPON OLT Empfänger. 2. Optisches Zeitbereichsreflektometer (OTDR)

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.