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Fotodiodenchip XSJ-10-G6-38

Fotodiodenchip - XSJ-10-G6-38 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Fotodiodenchip - XSJ-10-G6-38 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
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Eigenschaften

Merkmal
Fotodioden

Beschreibung

Diese hohe Datenrate 25Gbps Photodiode Chip ist GaAs oben beleuchtet PIN-Struktur. Merkmale sind hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, aktive Flächengröße Φ38μm, Anode und Kathode Bond-Pad auf der Oberseite für TO-CAN-Paket Draht-Bond, Anwendung in Faserkanal-Datenübertragung, 25Gigabit Ethernet und Multi-Mode-Kommunikation etc. 1. Φ38μm aktive Fläche. 2. Niedrige Kapazität und niedriger Dunkelstrom. 3. Hohe Verantwortung. 4. Datenrate bis zu 25Gbps. 5. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 6. 100%ige Prüfung und Inspektion. Anwendungen 1. 25Gigabit Ethernet/Glasfaserkanal. 2. 25Gbps AOC (Active Optical Cable) Empfänger bei 850nm. 3. 25Gbps VCSEL-basierte parallele optische Verbindungen. 4. 25Gbps SFP+. 5. 4X25Gbps QSFP.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.