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Fotodioden Array / InGaAs XSJ-10-MA-100-KB2
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Fotodioden Array / InGaAs - XSJ-10-MA-100-KB2 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / Chip
Fotodioden Array / InGaAs - XSJ-10-MA-100-KB2 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / Chip
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Eigenschaften

Merkmal
PIN, InGaAs, Chip

Beschreibung

Dieser InGaAs/InP 1X2 Array-Monitor-PIN-Fotodioden-Chip mit großer aktiver Fläche, die planare Struktur mit Anode und Kathode auf der Oberseite, Einfallsfläche auf der Rückseite ist. Mit unten beleuchteten aktiven Bereich Größe ist Φ100μm, und hohe Reaktionsfähigkeit im Wellenlängenbereich von 980nm bis 1620nm.Mainly Anwendung bei der Überwachung der optischen Leistung. 1. Planare Struktur auf SI-InP-Substrat. 2. Von unten beleuchtet: Φ100μm aktive Fläche. 3. 1X2-Array, Chipabstand: 500μm. 4. Hohe Verantwortung. 5. Niedriger Dunkelstrom. 6. Anode und Kathode auf der Oberseite, Drahtbindung auf der Vorderseite. 7. -40℃ bis 85℃ Betriebsbereich. 8 . Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 9. 100%ige Prüfung und Inspektion. 10. Kundenspezifische Chipabmessungen sind verfügbar. 11. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform. Anwendungen 1. Überwachung der optischen Leistung

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.