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Fotodiodenchip XSJ-10-APD4-80X

Fotodiodenchip - XSJ-10-APD4-80X - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Fotodiodenchip - XSJ-10-APD4-80X - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
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Eigenschaften

Merkmal
Fotodioden

Beschreibung

Ein Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite und eine Kathode auf der Rückseite aus, mit einer von oben beleuchteten aktiven Fläche von Φ80μm für eine einfache optische Montage; hohe Empfindlichkeit, hoher Multiplikationsfaktor und niedriger Dunkelstrom. Der leistungsstarke 2,5-Gbps-APD-Chip und der kombinierte TO-CAN von TIA können die Empfindlichkeit des optischen Empfängers verbessern und Anwendungen ermöglichen, die die Datenübertragung für die heutige Glasfaser bis zum Haus (FTTH). 1. Φ80μm aktive Fläche. 2. Anode auf der Oberseite und Kathode auf der Rückseite. 3. Niedriger Dunkelstrom. 4. Ausgezeichnete Empfindlichkeit und hohe Verstärkung. 5. Datenrate bis zu 2,5Gbps oben. 6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 7. 100%ige Prüfung und Inspektion. Anwendungen 1. Augensichere Laser-Entfernungsmessung. 2. Optisches Zeitbereichsreflektometer (OTDR). 3. Optische Kommunikationssysteme.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.