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- Digitaler Chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Digitaler Chip XSJ-10-M-100-EIFotodiodenInGaAsINP
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Eigenschaften
- Merkmal
- digital, Fotodioden, INP, InGaAs
Beschreibung
Dieser kantenbeleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit Anode und Doppelkathode an der Oberseite. Edge detektierbaren Bereich Größe ist 100μmX80μm, und höhere Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 980nm bis 1620nm.Applied zur Überwachung der optischen Leistung von der Rückseite der verschiedenen LD, FTTH digitale optische Kommunikation und optische Verbindung.
1. NPN-Bond-Pad auf der Oberseite.
2. Detektierbarer Bereich am Rand: 100μmX80μm.
3. Hohe Verantwortung.
4. Niedriger Dunkelstrom.
5. Niedrige Betriebsvorspannung.
6. -40℃ bis 85℃ Betriebsbereich.
7. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
8. 100%ige Prüfung und Inspektion.
9. Zufriedenstellende nicht-hermetische Pakete.
Anwendungen
1. Überwachung der Laserleistung auf der Rückseite der Facette.
2. Digitale optische FTTH-Kommunikation.
3. Optische Zusammenschaltung.
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.