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- Elektronisches Bauteil
- Fotodiodenchip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Fotodiodenchip XSJ-10-M-500BMInGaAsINP
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Eigenschaften
- Merkmal
- Fotodioden, INP, InGaAs
Beschreibung
Dieser von oben beleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit einer Anode oben und einer Kathode auf der Rückseite. Die aktive Fläche ist Φ500μm groß und hat eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 1100nm bis 1700nm. Anwendung bei der Überwachung der optischen Leistung von der hinteren Facette verschiedener LD.
1. Φ500μm aktive Fläche.
2. Hohe Verantwortung.
3. Hohe Linearität.
4. Niedriger Dunkelstrom.
5. Niedrige Betriebsvorspannung.
6. Unterstützt den AnSn-Lötprozess.
7. -40℃ bis 85℃ Betriebsbereich.
8. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
9. 100%ige Prüfung und Inspektion.
10. Kundenspezifische Chipabmessungen sind verfügbar.
11. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform.
Anwendungen
1. Überwachung der Laserleistung der Rückseitenfacette.
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.