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Fotodioden Array / GaAs XSJ-10-G5-70-K4
PINChip

Fotodioden Array / GaAs - XSJ-10-G5-70-K4 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / Chip
Fotodioden Array / GaAs - XSJ-10-G5-70-K4 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - PIN / Chip
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Eigenschaften

Merkmal
PIN, GaAs, Chip

Beschreibung

Diese hohe Datenrate 4X10Gbps Photodiode Chip ist GaAs oben beleuchtet PIN-Struktur. Eigenschaften ist hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, aktive Fläche Größe ist Φ70μm, Anode und Kathode Bond-Pad auf der Oberseite für TO-CAN-Paket Draht-Bond, Anwendung in Faserkanal-Datenübertragung, 10Gigabit Ethernet und Multi-Mode-Kommunikation etc. 1. Φ70μm aktive Fläche. 2. Niedrige Kapazität und niedriger Dunkelstrom. 3. Hohe Verantwortung. 4. Datenrate bis zu 10Gbps. 5. Chipabstand: 250μm 6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 7. 100%ige Prüfung und Inspektion. Anwendungen 1. 10Gbps AOC (Active Optical Cable) Empfänger bei 850nm. 2. Infiniband. 3. SONET/SDH

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.