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Fotodioden Array / GaAs XSJ-10-G5-70-K4
PINChip

Fotodioden Array / GaAs
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Eigenschaften

Merkmal
PIN, GaAs, Chip

Beschreibung

Diese hohe Datenrate 4X10Gbps Photodiode Chip ist GaAs oben beleuchtet PIN-Struktur. Eigenschaften ist hohe Verantwortung, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom, aktive Fläche Größe ist Φ70μm, Anode und Kathode Bond-Pad auf der Oberseite für TO-CAN-Paket Draht-Bond, Anwendung in Faserkanal-Datenübertragung, 10Gigabit Ethernet und Multi-Mode-Kommunikation etc. 1. Φ70μm aktive Fläche. 2. Niedrige Kapazität und niedriger Dunkelstrom. 3. Hohe Verantwortung. 4. Datenrate bis zu 10Gbps. 5. Chipabstand: 250μm 6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 7. 100%ige Prüfung und Inspektion. Anwendungen 1. 10Gbps AOC (Active Optical Cable) Empfänger bei 850nm. 2. Infiniband. 3. SONET/SDH

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