Fotodiodenchip XSJ-10-M-200-01

InGaAsINP

Dieser von oben beleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Photodiodenchip mit großer aktiver Fläche hat eine planare Struktur mit Anode oben und Kathode unten. Die aktive Fläche ist Φ200μm groß und hat eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 980nm bis 1620nm. Anwendung bei der Überwachung der optischen Leistung von der hinteren Facette verschiedener LD. 1. Planare Struktur auf n+ InP-Substrat mit oberem Anodenkontakt. 2. Φ200μm aktive Fläche. 3. Hohe Verantwortung. 4. Niedriger Dunkelstrom. 5. Niedrige Betriebsvorspannung. 6. -40℃ bis 85℃ Betriebsbereich. 7. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 8. 100%ige Prüfung und Inspektion. 9. Kundenspezifische Chipabmessungen sind verfügbar. Anwendungen 1. Überwachung der Laserleistung auf der Rückseite der Facette.