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- Elektronisches Bauteil
- Stärk Chip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Stärk Chip XSJ-10-SPD-51FotodiodenInGaAsINP
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Eigenschaften
- Merkmal
- Fotodioden, Stärke, INP, InGaAs
Beschreibung
Dieser hochempfindliche Photodiodenchip (Super-PD-Chip) hat eine planare InGaAs/InP-Struktur. Merkmale sind hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität und niedriger Dunkelstrom, Anwendung in 2.5Gbps GPON OUN Empfänger. Der hochempfindliche 2.5Gbps PIN-PD-Chip, der mit Super-TIA arbeitet, kann 2.5Gbps APD+TIA ersetzen und so die ONU-Kosten und den Stromverbrauch reduzieren.
1. Φ51μm aktive Fläche.
2. Hohe Verantwortung und niedriger Dunkelstrom.
3. Planare Struktur.
4. Niedriger Dunkelstrom.
5. Hohe Empfindlichkeit, arbeitet mit Super TIA kann 2.5Gbps APD-TIA ersetzen.
6. Datenrate bis zu 2.5Gbps.
7. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
8. 100%ige Prüfung und Inspektion.
Anwendungen
1. 2.5Gbps GPON ONU Empfänger.
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.