Fotodiodenchip S570

InGaAsINP

Der optische Näherungssensor ist ein InGaAs/InP-Fotodioden-Chip mit Top-Illumination, planarer Struktur, Anode auf der Vorderseite, Kathode auf der Rückseite, die Größe der quadratischen aktiven Fläche beträgt 570um*570um, mit hoher ESD, niedrigem Dunkelstrom und anderen Eigenschaften, hat eine hohe Reaktion im Wellenlängenbereich von 1300nm~1550nm. Die Reaktion im Wellenlängenbereich von 300nm~750nm ist sehr gering, was das Problem des optischen Empfangs des OLED-Bildschirms löst. 1. Hohe elektrostatische Entladung Design. 2. Anode auf der Oberseite und Kathode auf der Rückseite. 3. Niedriger Dunkelstrom. 4. Ausgezeichnete Empfindlichkeit und hohe Verstärkung. 5. 570μm x 570μm quadratische aktive Fläche 6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. Anwendungen 1. Erkennung von Umgebungslicht. 2. Handy Touchscreen deaktivieren.