Fotodioden Array / PIN XSJ-10-D7A-16X-K4-750

Chip

Diese 4X56GBaud Array 400Gbps Photodioden-Chip, der oben beleuchtet ist und Mesa-Struktur hohe Datenrate digitale PIN-Photodiode Chip, aktive Fläche Größe ist Φ16μm. Seine Eigenschaften sind hoch, niedrige Kapazität, niedriger Dunkelstrom und ausgezeichnete Zuverlässigkeit, Anwendung 1200nm bis 1600nm mit Singlemode-Faser-Wellenlänge, mit Datenrate bis zu 50Gbps lange Wellenlänge optischer Empfänger. 1. Φ16μm aktive Fläche. 2. Ground-Signal-Ground (GSG) Bondpad-Struktur, 4X56GBaud Array. 3. Niedriger Dunkelstrom, geringe Kapazität, hohe Verantwortung. 4. Datenrate: ≥ 56GBaud/Kanal. 5. Würfelabstand: 750μm. 6. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 7. 100%ige Prüfung und Inspektion. Anwendungen 1. optische 200G-Module. 2. 400G Optische Module.