- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
PON-Chip XSJ-10-APD5-40S-X
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Eigenschaften
- Merkmal
- PON
Beschreibung
Die 10Gbps APD optischen Detektor-Chip ist GSG Elektrode Struktur, für die Front in das Licht der High-Speed-Avalanche-Licht-Detektor-Chip, der lichtempfindlichen Bereich Größe ist 40um, die wichtigsten Merkmale des Produkts sind hohe Multiplikator, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, niedrige Temperatur-Koeffizient und hohe Zuverlässigkeit, vor allem in 10G SONET/SDH und 10G PON optischen Empfänger verwendet.
1. Φ40μm aktive Fläche.
2. Hohe Vervielfachung.
3. Niedriger Temperaturkoeffizient.
4. 100%ige Prüfung und Kontrolle.
5. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
6. RoHS2.0 (2011/65/EU) konform.
Anwendungen
1. 10G EPON.
2. XGS Comb PON.
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