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- Elektronisches Bauteil
- Fotodiodenchip
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
PON-Chip XSJ-10-APD5-40Fotodioden
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Eigenschaften
- Merkmal
- Fotodioden, PON
Beschreibung
Dieser 10Gbps-Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal-Ground (GSG)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ40μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, niedrigen Temperaturkoeffizienten und hervorragende Zuverlässigkeit aus und findet Anwendung in 10G SONET/SDH und 10G PON optischen Empfängern.
1. 40pm aktive Fläche.
2. Hohe Multiplikation.
3. Hohe Datenrate.
4. Niedriger Temperaturkoeffizient.
5. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden.
6. 100%ige Prüfung und Inspektion.
Anwendungen
10G SONET/SDH
10G PON
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.