MOSFET Modul / Leistung APV1111GVY

SchaltWiderstand

Der Photovoltaik-MOSFET-Hochleistungstreiber von Panasonic ist in einem kleinen Gehäuse (SSOP) mit höherem Kurzschlussstrom und höherer Drop-out-Spannung zum Gate des MOSFET erhältlich. Dieser Treiber ist in der Lage, MOSFETs mit hohen Vgs, wie z. B. SiC-MOSFETs, anzusteuern und bietet hohe Schaltkapazitäten bei hohen Schaltgeschwindigkeiten. Der Ersatz eines elektromechanischen Standardrelais durch ein PhotoMOS®-Relais bietet zusätzliche Vorteile wie eine längere Lebensdauer, eine bessere Beständigkeit gegen Stöße und Vibrationen, einen geringen On-Widerstand und eine theoretisch unendliche Lebensdauer. Dies macht PhotoMOS®-Relais zu einer sehr guten Lösung für Batterieüberwachungssysteme, Test- und Messgeräte, elektrische Energie und industrielle Märkte. Miniatur-SSOP-Gehäuse Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Betrieb Teilenummer APV1111GVY für hohen Ausgangsstrom Niedriger On-Widerstand des MOSFET Teilenummer APV3111GVY für hohe Ausgangsspannung Kleine Gehäusegröße Höherer Kurzschlussstrom Höhere Drop Out Spannung Hohe Schaltgeschwindigkeiten RoHS/REACH-konform Platzersparnis auf der Platine Höhere Sicherheitsklassen Schaltet MOSFETs mit höherem Nennwert Verkürzte Betriebszeit