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NPN-Fototransistor Metal Can TO18Silizium
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Eigenschaften
- Typ
- NPN
- Weitere Eigenschaften
- Silizium
- Strom
0,01 mA, 0,2 mA, 1,65 mA
Beschreibung
Fallzeit
tf
8.0 µs
Anstiegszeit
tf
8.0 µs
Spektralbereich der Empfindlichkeit typ.
λ10% min.
450 nm
λ10% max.
1100 nm
Strahlungsempfindlicher Bereich
A
0.11 mm²
Abstrahlwinkel
∢
110 °
Abmessungen
l
5.35 mm
w
5.35 mm
h
3.3 mm
Betriebstemperatur
Oben min.
-40 °C
Obere max.
80 °C
Anwendungsbereiche
Industrielle
Fabrik-Automatisierung
---
Kataloge
Infrared Components
62 Seiten
SFH 464
14 Seiten
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.