SMD-Fototransistor OIT25C-NR
Silizium

SMD-Fototransistor
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Eigenschaften

Weitere Eigenschaften
SMD, Silizium
Strom

1 mA

Spannung

80 mV

Beschreibung

OIT25C-NR 6-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,68 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse Allgemeine Beschreibung OIT25C besteht aus einem sechs einzeln gewürfelten Silizium-Fototransistor. Die Fototransistoren haben einen gemeinsamen Kollektor auf dem Rückseitensubstrat, der mit einem einzelnen Pad verbunden ist, und jeder Emitter ist für ein bestimmtes Pad zugänglich. Das optische Raster des Arrays beträgt 0,68 mm, das elektrische Raster des LCC-Gehäuses 1,27 mm. Die aktive Fläche jedes Elements beträgt 0,20 x 0,45 mm2 . Die Vorteile dieses Produkts sind die hohe Gleichförmigkeit der Siliziumsensoren und des extrem kontrollierten mikroelektronischen Prozesses, die hohe Stabilität des Signals und die hohe optische Empfindlichkeit aufgrund der auf den Flächen des Fototransistors aufgebrachten Antireflexschicht. Das Bauelement ist mit einem dünnen Kunststofffilm geschützt, der gegen Reflow-Ofenprozesse beständig ist. Der Film muss entfernt werden, sobald das Gerät auf der elektronischen Platine montiert ist und der Benutzer die optische Strichplatte anbringen kann. Für die präzise Positionierung des Kollimators stehen zwei Referenzmarken zur Verfügung. Bewerbungen Optische Kodierer Inkremental-Encoder Optische Empfänger Steuerungen/Antriebe Merkmale Beständig gegen automatische Lötprozesse MSL2 Hohe Gleichförmigkeit von Siliziumzellen Hoher Temperaturbereich Hoher Gewinn Referenzbohrungen für präzise Montage Referenzpunkte für sehr präzise Montage Dienst für die Montage von Strichplatten verfügbar

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Kataloge

OIT25C-NR
OIT25C-NR
3 Seiten

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.