SMD-Fototransistor OIT18C-NR

Silizium

OIT18C-NR 13-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,45 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse Allgemeine Beschreibung OIT18C besteht aus einer monolithischen Anordnung von 13 Elementen in einem Silizium-Fototransistor. Die Fototransistoren haben einen gemeinsamen Kollektor auf dem Rückseitensubstrat, der an zwei Pads gebunden ist, und jeder Emitter ist für ein bestimmtes Pad zugänglich. Das optische Raster des Arrays beträgt 0,45 mm, das elektrische Raster des LCC-Gehäuses 1,27 mm. Die aktive Fläche jedes Elements beträgt 0,25 x 0,50 mm2. Die Vorteile dieses Produkts sind die hohe Gleichförmigkeit der Siliziumsensoren aufgrund des monolithischen Aufbaus und des extrem kontrollierten mikroelektronischen Prozesses, die hohe Stabilität des Signals und die hohe optische Empfindlichkeit aufgrund der auf den Flächen des Fototransistors aufgebrachten Antireflexschicht. Das Bauelement ist mit einem dünnen Kunststofffilm geschützt, der resistent gegen Reflow-Ofenprozesse ist. Der Film muss entfernt werden, sobald das Gerät auf der elektronischen Platine montiert ist und der Benutzer die optische Strichplatte anbringen kann. Für die genaue Positionierung des Fadenkreuzes stehen zwei Referenzmarken zur Verfügung. Bewerbungen Optische Kodierer 13-Bit-Absolut-Encoder Optische Empfänger Steuerungen/Antriebe Licht-Sensoren Merkmale Beständig gegen Lötprozesse, MSL2 Hohe Gleichförmigkeit der Siliziumzellen (< 10%) Monolithische Konstruktion Niedriger optischer Abstand (0,45 mm) Hoher Temperaturbereich Referenzbohrungen auf dem Gehäuse für präzise Montage Referenzpunkte auf dem Gehäuse für hochgenaue Montage Dienst für die Montage von Strichplatten verfügbar